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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRFP22N10
RFP22N10 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RFP22N10 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
RFP22N10
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-RFP22N10
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
RFP22N10, RF1S22N10SM.pdf
En stock: 3930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RFP22N10
onsemi - RFP22N10 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - RFP22N10

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base RFP22  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi RFP22N10

Attributs du produit RFP22N10 RFP15P05 RFP15N05L RFP15P05
Modèle de produit RFP22N10 RFP15P05 RFP15N05L RFP15P05
Fabricant onsemi Harris Corporation Harris Corporation onsemi
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 5V 10V
Séries - - - -
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 20 V 150 nC @ 20 V - 150 nC @ 20 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc) 15A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 50 V 50 V 50 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 22A, 10V 150mOhm @ 15A, 10V 140mOhm @ 15A, 5V 150mOhm @ 15A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±10V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 100W (Tc) 80W (Tc) 60W (Tc) 80W (Tc)
Numéro de produit de base RFP22 - - RFP15
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel

Fiche technique RFP22N10 PDF

Téléchargez RFP22N10 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour RFP22N10 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf RFP22N10, RF1S22N10SM.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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