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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxPJX138K_R1_00001
PJX138K_R1_00001 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PJX138K_R1_00001 - Panjit International Inc.

Fabricant Modèle de produit
PJX138K_R1_00001
Fabricant
PANJIT
Allelco Modèle de produit
32D-PJX138K_R1_00001
Modèle ECAD
Description des pièces
50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
PJX138K.pdf
État RoHS
En stock: 390000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PJX138K_R1_00001
Panjit International Inc. - PJX138K_R1_00001 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Panjit International Inc. - PJX138K_R1_00001

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant PANJIT  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-563  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V  
Puissance - Max 223mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 50V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 350mA (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base PJX138  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Panjit International Inc. PJX138K_R1_00001

Attributs du produit PJX138K_R1_00001 MMDF2P02ER2G IRF9952TRPBF NTHD5903T1G
Modèle de produit PJX138K_R1_00001 MMDF2P02ER2G IRF9952TRPBF NTHD5903T1G
Fabricant Panjit International Inc. onsemi Infineon Technologies onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA 600mV @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V 475pF @ 16V 190pF @ 15V -
Tension drain-source (Vdss) 50V 25V 30V 20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Numéro de produit de base PJX138 MMDF2 IRF995 NTHD59
Séries - - HEXFET® -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 350mA (Ta) 2.5A 3.5A, 2.3A 2.2A
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SMD, Flat Lead
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V 250mOhm @ 2A, 10V 100mOhm @ 2.2A, 10V 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Puissance - Max 223mW (Ta) 2W 2W 1.1W
Package composant fournisseur SOT-563 8-SOIC 8-SO ChipFET™
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V 15nC @ 10V 14nC @ 10V 7.4nC @ 4.5V

Fiche technique PJX138K_R1_00001 PDF

Téléchargez PJX138K_R1_00001 PDF DataSheets et Documentation Panjit International Inc. pour PJX138K_R1_00001 - Panjit International Inc..

Assemblage / origine PCN
Multiple Parts 15/Jun/2022.pdf
Conception / spécification PCN
Multipe Parts 06/Sep/2022.pdf
Feuilles de données
PJX138K.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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