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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN1R0-40SSHJ
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN1R0-40SSHJ - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN1R0-40SSHJ
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN1R0-40SSHJ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 325A LFPAK88
Description détaillée
Emballage
SOT-1235
Fiche technique
PSMN1R0-40SSH.pdf
État RoHS
En stock: 12848

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN1R0-40SSHJ
Nexperia USA Inc. - PSMN1R0-40SSHJ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN1R0-40SSHJ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK88 (SOT1235)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 375W (Ta)  
Package / Boîte SOT-1235  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10322 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Body)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 325A (Ta)  
Numéro de produit de base PSMN1R0  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40SSHJ

Attributs du produit PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-25YLDX
Modèle de produit PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-40YSHX PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-25YLDX
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 25A, 10V 1mOhm @ 25A, 10V 1.02mOhm @ 25A, 10V 0.89mOhm @ 25A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur LFPAK88 (SOT1235) LFPAK56; Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8
Fonction FET Schottky Diode (Body) Schottky Diode (Body) - Schottky Diode (Body)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10322 pF @ 25 V 9433 pF @ 20 V 8598 pF @ 15 V 5308 pF @ 12 V
Numéro de produit de base PSMN1R0 PSMN1R0 PSMN1R0 PSMN1R0
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 1mA 3.6V @ 1mA 2.2V @ 2mA 2.2V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 30 V 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Dissipation de puissance (max) 375W (Ta) 333W (Ta) 238W (Tc) 160W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 137 nC @ 10 V 122 nC @ 10 V 121.35 nC @ 10 V 71.8 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Package / Boîte SOT-1235 SOT-1023, 4-LFPAK SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 325A (Ta) 290A (Ta) 100A (Tc) 100A (Tc)

Fiche technique PSMN1R0-40SSHJ PDF

Téléchargez PSMN1R0-40SSHJ PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN1R0-40SSHJ - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
PSMN1R0x 07/Oct/2022.pdf
Feuilles de données
PSMN1R0-40SSH.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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