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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePSMN1R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PSMN1R0-30YLDX - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PSMN1R0-30YLDX
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PSMN1R0-30YLDX
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Description détaillée
Emballage
SC-100, SOT-669
Fiche technique
PSMN1R0-30YLD.pdf
État RoHS
En stock: 32070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PSMN1R0-30YLDX
Nexperia USA Inc. - PSMN1R0-30YLDX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PSMN1R0-30YLDX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.02mOhm @ 25A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 238W (Tc)  
Package / Boîte SC-100, SOT-669  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8598 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 121.35 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc)  
Numéro de produit de base PSMN1R0  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLDX

Attributs du produit PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-40YSHX
Modèle de produit PSMN1R0-30YLDX PSMN1R0-40SSHJ PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-40YSHX
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 8598 pF @ 15 V 10322 pF @ 25 V 6645 pF @ 15 V 9433 pF @ 20 V
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8 LFPAK88 (SOT1235) LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56; Power-SO8
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 238W (Tc) 375W (Ta) 272W (Tc) 333W (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA 3.6V @ 1mA 1.95V @ 1mA 3.6V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - Schottky Diode (Body) - Schottky Diode (Body)
Package / Boîte SC-100, SOT-669 SOT-1235 SC-100, SOT-669 SOT-1023, 4-LFPAK
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 121.35 nC @ 10 V 137 nC @ 10 V 103.5 nC @ 10 V 122 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.02mOhm @ 25A, 10V 1mOhm @ 25A, 10V 1.15mOhm @ 25A, 10V 1mOhm @ 25A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Tc) 325A (Ta) 100A (Tc) 290A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 40 V 30 V 40 V
Numéro de produit de base PSMN1R0 PSMN1R0 PSMN1R0 PSMN1R0

Fiche technique PSMN1R0-30YLDX PDF

Téléchargez PSMN1R0-30YLDX PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PSMN1R0-30YLDX - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Mult Devices Label 30/Sep/2018.pdf
Assemblage / origine PCN
PSMNxRx 26/Sep/2022.pdf
Conception / spécification PCN
New Clip Design 16/Mar/2016.pdf PSMN1R0-30YLDX 06/Mar/2023.pdf
Feuilles de données
PSMN1R0-30YLD.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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