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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV65XP,215
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMV65XP,215 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMV65XP,215
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMV65XP,215
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PMV65XP.pdf
État RoHS
En stock: 393770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMV65XP,215
Nexperia USA Inc. - PMV65XP,215 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMV65XP,215

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 480mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 744 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Ta)  
Numéro de produit de base PMV65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMV65XP,215

Attributs du produit PMV65XP,215 PMV65XP,215 PMV65XPEAR PMV65ENEAR
Modèle de produit PMV65XP,215 PMV65XP,215 PMV65XPEAR PMV65ENEAR
Fabricant Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Package composant fournisseur TO-236AB SOT-23 TO-236AB TO-236AB
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 40 V
Numéro de produit de base PMV65 - PMV65 PMV65
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 744 pF @ 20 V 744 pF @ 20 V 618 pF @ 10 V 160 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Séries - - Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q101
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 480mW (Ta) 480mW (Ta) 480mW (Ta), 6.25W (Tc) 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1.25V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Ta) 2.8A (Ta) 2.8A (Ta) 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 2.8A, 4.5V 74mOhm @ 2.8A, 4.5V 78mOhm @ 2.8A, 4.5V 75mOhm @ 2.7A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V 7.7 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 6 nC @ 10 V

Fiche technique PMV65XP,215 PDF

Téléchargez PMV65XP,215 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMV65XP,215 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Pack/Label Update 30/Nov/2016.pdf
Conception / spécification PCN
Copper Bond Wire 18/Apr/2014.pdf
Feuilles de données
PMV65XP.pdf

Mode de transport

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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