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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV65UN,215
PMV65UN,215 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMV65UN,215 - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMV65UN,215
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-PMV65UN,215
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 2.2A TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PMV65UN Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 4660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMV65UN,215
NXP USA Inc. - PMV65UN,215 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - PMV65UN,215

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23 (TO-236AB)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 76mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 310mW (Ta), 2.17W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 183 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta)  
Numéro de produit de base PMV6  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. PMV65UN,215

Attributs du produit PMV65UN,215 PMV60ENEAR PMV65XP,215 PMV60EN,215
Modèle de produit PMV65UN,215 PMV60ENEAR PMV65XP,215 PMV60EN,215
Fabricant NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
Tension drain-source (Vdss) 20 V 40 V 20 V 30 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.2A (Ta) 3A (Ta) 2.8A (Ta) 4.7A (Tc)
Package composant fournisseur SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB SOT-23 SOT-23 (TO-236AB)
Dissipation de puissance (max) 310mW (Ta), 2.17W (Tc) 615mW (Ta), 7.5W (Tc) 480mW (Ta) 280mW (Tj)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Numéro de produit de base PMV6 PMV60 - PMV6
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 183 pF @ 10 V 180 pF @ 20 V 744 pF @ 20 V 350 pF @ 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 76mOhm @ 2A, 4.5V 75mOhm @ 3A, 10V 74mOhm @ 2.8A, 4.5V 55mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 2V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V 5 nC @ 10 V 7.7 nC @ 4.5 V 9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±8V ±20V ±12V ±20V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Séries - Automotive, AEC-Q101 - TrenchMOS™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -

Fiche technique PMV65UN,215 PDF

Téléchargez PMV65UN,215 PDF DataSheets et Documentation NXP USA Inc. pour PMV65UN,215 - NXP USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Update 15/Dec/2020.pdf
Informations environnementales
NXP USA Inc REACH.pdf NXP USA Inc RoHS Cert.pdf
PCN Obsolescence / EOL
MCU Dip Supply Situation 12/May/2015.pdf Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Feuilles de données
PMV65UN Datasheet.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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PMV65UN,215

NXP USA Inc.
32D-PMV65UN,215

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