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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV213SN,215
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMV213SN,215 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMV213SN,215
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMV213SN,215
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PMV213SN.pdf
État RoHS
En stock: 196380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMV213SN,215
Nexperia USA Inc. - PMV213SN,215 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMV213SN,215

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 280mW (Tj)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.9A (Tc)  
Numéro de produit de base PMV213  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMV213SN,215

Attributs du produit PMV213SN,215 PMV20XN,215 PMV20ENR PMV250EPEAR
Modèle de produit PMV213SN,215 PMV20XN,215 PMV20ENR PMV250EPEAR
Fabricant Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 20 V 585 pF @ 15 V 435 pF @ 15 V 450 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±30V ±12V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 30 V 40 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 1.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 280mW (Tj) 510mW (Ta) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base PMV213 PMV2 PMV20 PMV250
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.9A (Tc) 4.8A (Ta) 6A (Ta) 1.5A (Ta)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur TO-236AB SOT-23 (TO-236AB) TO-236AB TO-236AB
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 500mA, 10V 25mOhm @ 4.8A, 4.5V 21mOhm @ 6A, 10V 240mOhm @ 1.3A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 10.8 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V
Séries TrenchMOS™ - - Automotive, AEC-Q100

Fiche technique PMV213SN,215 PDF

Téléchargez PMV213SN,215 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMV213SN,215 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
Feuilles de données
PMV213SN.pdf
Assemblage / origine PCN
PMV213SN,215 A/T 5/Jul/2021.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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