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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SinglePMV20ENR
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMV20ENR - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMV20ENR
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMV20ENR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
PMV20EN.pdf
État RoHS
En stock: 286460

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMV20ENR
Nexperia USA Inc. - PMV20ENR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMV20ENR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 510mW (Ta), 6.94W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.8 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)  
Numéro de produit de base PMV20  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMV20ENR

Attributs du produit PMV20ENR PMV16XNR PMV20XN,215 PMV170UN,215
Modèle de produit PMV20ENR PMV16XNR PMV20XN,215 PMV170UN,215
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. NXP USA Inc.
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta) 6.8A (Ta) 4.8A (Ta) 1A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10.8 nC @ 10 V 20.2 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V 1.65 nC @ 4.5 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 900mV @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±8V
Dissipation de puissance (max) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 510mW (Ta), 6.94W (Tc) 510mW (Ta) 325mW (Ta), 1.14W (Tc)
Séries - - - -
Numéro de produit de base PMV20 PMV16 PMV2 PMV1
Package composant fournisseur TO-236AB TO-236AB SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 6A, 10V 20mOhm @ 6.8A, 4.5V 25mOhm @ 4.8A, 4.5V 165mOhm @ 1A, 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 435 pF @ 15 V 1240 pF @ 10 V 585 pF @ 15 V 83 pF @ 10 V

Fiche technique PMV20ENR PDF

Téléchargez PMV20ENR PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMV20ENR - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Feuilles de données
PMV20EN.pdf
Conception / spécification PCN
PMV20/PMPB11 23/Mar/2017.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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