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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxPMDXB950UPE
PMDXB950UPE Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMDXB950UPE - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMDXB950UPE
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMDXB950UPE
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Description détaillée
Emballage
Fiche technique
PMDXB950UPE.pdf
État RoHS
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
En stock: 3630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMDXB950UPE
Nexperia USA Inc. - PMDXB950UPE Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMDXB950UPE

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Tension - Test 43pF @ 10V  
Tension - Ventilation 6-DFN (1.1x1)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V  
Séries TrenchFET®  
État RoHS Digi-Reel®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mA  
Puissance - Max 265mW  
Polarisation 6-XFDFN Exposed Pad  
Autres noms 1727-1471-6
568-10942-6
568-10942-6-ND
 
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)  
Référence fabricant PMDXB950UPE  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2.1nC @ 4.5V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 950mV @ 250µA  
Fonction FET 2 P-Channel (Dual)  
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1)  
Tension drain-source (Vdss) Logic Level Gate  
La description MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20V  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMDXB950UPE

Attributs du produit PMDXB950UPE PMDPB80XP,115 PMDPB80XP,115 PMDXB600UNEZ
Modèle de produit PMDXB950UPE PMDPB80XP,115 PMDPB80XP,115 PMDXB600UNEZ
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 265mW Surface Mount 6-DFN (1.1x1) - - -
La description MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN - - -
Tension - Test 43pF @ 10V - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 950mV @ 250µA 8.6nC @ 4.5V 8.6nC @ 4.5V 0.7nC @ 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension - Ventilation 6-DFN (1.1x1) - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2.1nC @ 4.5V 550pF @ 10V 550pF @ 10V 21.3pF @ 10V
Puissance - Max 265mW 485mW 485mW 265mW
Autres noms 1727-1471-6
568-10942-6
568-10942-6-ND
- - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) - - -
Référence fabricant PMDXB950UPE - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V 1V @ 250µA 1V @ 250µA 950mV @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mA 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Polarisation 6-XFDFN Exposed Pad - - -
Séries TrenchFET® - - TrenchFET®
État RoHS Digi-Reel® - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20V 2.7A 2.7A 600mA
Tension drain-source (Vdss) Logic Level Gate 20V 20V 20V

Fiche technique PMDXB950UPE PDF

Téléchargez PMDXB950UPE PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMDXB950UPE - Nexperia USA Inc..

Livret des spécifications
PMDXB950UPE.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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