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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxPMDPB80XP,115
PMDPB80XP,115 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PMDPB80XP,115 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PMDPB80XP,115
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PMDPB80XP,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6HUSON
Description détaillée
Emballage
6-UFDFN Exposed Pad
Fiche technique
PMDPB80XP.pdf
État RoHS
En stock: 274710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PMDPB80XP,115
Nexperia USA Inc. - PMDPB80XP,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PMDPB80XP,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-HUSON (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V  
Puissance - Max 485mW  
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 1.8V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A  
Configuration 2 P-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base PMDPB80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PMDPB80XP,115

Attributs du produit PMDPB80XP,115 PMDPB70EN,115 PMDPB70EN,115 PMDPB58UPE,115
Modèle de produit PMDPB80XP,115 PMDPB70EN,115 PMDPB70EN,115 PMDPB58UPE,115
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V 57mOhm @ 3.5A, 10V 57mOhm @ 3.5A, 10V 67mOhm @ 2A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V 4.5nC @ 10V 4.5nC @ 10V 9.5nC @ 4.5V
Configuration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A 3.5A 3.5A 3.6A
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V 130pF @ 15V 130pF @ 15V 804pF @ 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20V 30V 30V 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 950mV @ 250µA
Fonction FET Logic Level Gate, 1.8V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad 6-UFDFN Exposed Pad
Package composant fournisseur 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2) 6-HUSON (2x2)
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base PMDPB80 PMDPB70 PMDPB70 PMDPB58
Puissance - Max 485mW 510mW 510mW 515mW

Fiche technique PMDPB80XP,115 PDF

Téléchargez PMDPB80XP,115 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PMDPB80XP,115 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
PMDPB80XP.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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PMDPB80XP,115

Nexperia USA Inc.
32D-PMDPB80XP,115

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