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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxPHC21025,118
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

PHC21025,118 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
PHC21025,118
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-PHC21025,118
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
PHC21025.pdf
État RoHS
En stock: 4590

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques PHC21025,118
Nexperia USA Inc. - PHC21025,118 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - PHC21025,118

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SO  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V  
Puissance - Max 2W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base PHC21025  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. PHC21025,118

Attributs du produit PHC21025,118 FDG6313N SI7942DP-T1-E3 AO4826
Modèle de produit PHC21025,118 FDG6313N SI7942DP-T1-E3 AO4826
Fabricant Nexperia USA Inc. onsemi Vishay Siliconix Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Séries - - TrenchFET® -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A, 2.3A 500mA 3.8A -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base PHC21025 FDG6313 SI7942 AO482
Package composant fournisseur 8-SO SC-88 (SC-70-6) PowerPAK® SO-8 Dual 8-SOIC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 20V 50pF @ 10V - 2300pF @ 30V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Puissance - Max 2W 300mW 1.4W 2W
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V 2.3nC @ 4.5V 24nC @ 10V 58nC @ 10V
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PowerPAK® SO-8 Dual 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Configuration N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V 450mOhm @ 500mA, 4.5V 49mOhm @ 5.9A, 10V 25mOhm @ 6.3A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 30V 25V 100V 60V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA 1.5V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA

Fiche technique PHC21025,118 PDF

Téléchargez PHC21025,118 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour PHC21025,118 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
Conception / spécification PCN
Logo Marking Update 30/Nov/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices EOL 12/Jul/2018.pdf Mult Devices EOL 30/Jun/2018.pdf
Feuilles de données
PHC21025.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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