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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BUK9Y104-100B,115 - Nexperia USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
BUK9Y104-100B,115
Fabricant
Nexperia
Allelco Modèle de produit
32D-BUK9Y104-100B,115
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 14.8A LFPAK56
Description détaillée
Emballage
SC-100, SOT-669
Fiche technique
BUK9Y104-100B.pdf
État RoHS
En stock: 69750

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BUK9Y104-100B,115
Nexperia USA Inc. - BUK9Y104-100B,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Nexperia USA Inc. - BUK9Y104-100B,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Nexperia  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA  
Vgs (Max) ±15V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 59W (Tc)  
Package / Boîte SC-100, SOT-669  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1139 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14.8A (Tc)  
Numéro de produit de base BUK9Y104  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Nexperia USA Inc. BUK9Y104-100B,115

Attributs du produit BUK9Y104-100B,115 BUK9M9R1-40EX BUK9Y104-100B,115 BUK9M85-60EX
Modèle de produit BUK9Y104-100B,115 BUK9M9R1-40EX BUK9Y104-100B,115 BUK9M85-60EX
Fabricant Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc.
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14.8A (Tc) 64A (Tc) 14.8A (Tc) 12.8A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1139 pF @ 25 V 2048 pF @ 25 V 1139 pF @ 25 V 434 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8 LFPAK33 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 5A, 10V 7.3mOhm @ 20A, 10V 99mOhm @ 5A, 10V 73mOhm @ 5A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 59W (Tc) 75W (Tc) 59W (Tc) 31W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 16.2 nC @ 5 V 11 nC @ 5 V 4.4 nC @ 5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-100, SOT-669 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SC-100, SOT-669 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V 100 V 60 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V 5V, 10V 5V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA 2.1V @ 1mA 2.15V @ 1mA 2.1V @ 1mA
Numéro de produit de base BUK9Y104 BUK9M9 - BUK9M85
Vgs (Max) ±15V ±10V ±15V ±10V

Fiche technique BUK9Y104-100B,115 PDF

Téléchargez BUK9Y104-100B,115 PDF DataSheets et Documentation Nexperia USA Inc. pour BUK9Y104-100B,115 - Nexperia USA Inc..

Emballage PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Pack/Label Update 30/Nov/2016.pdf
Conception / spécification PCN
R0-Clip Overhang Removal 14/Apr/2014.pdf R0-Clip Overhang Revision 14/Sep/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Fab Process 27/Mar/2017.pdf
Feuilles de données
BUK9Y104-100B.pdf

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