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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBUK9Y104-100B,115
NXP USA Inc.
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BUK9Y104-100B,115 - NXP USA Inc.

Fabricant Modèle de produit
BUK9Y104-100B,115
Fabricant
NXP Semiconductors
Allelco Modèle de produit
32D-BUK9Y104-100B,115
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANSISTOR >30MHZ
Description détaillée
Emballage
SC-100, SOT-669
Fiche technique
BUK9Y104-100B.pdf
État RoHS
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BUK9Y104-100B,115
NXP USA Inc. - BUK9Y104-100B,115 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à NXP USA Inc. - BUK9Y104-100B,115

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant NXP Semiconductors  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA  
Vgs (Max) ±15V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8  
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 59W (Tc)  
Package / Boîte SC-100, SOT-669  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1139 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14.8A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de NXP USA Inc. BUK9Y104-100B,115

Attributs du produit BUK9Y104-100B,115 BUK9M9R5-40HX BUK9M85-60E BUK9M85-60EX
Modèle de produit BUK9Y104-100B,115 BUK9M9R5-40HX BUK9M85-60E BUK9M85-60EX
Fabricant NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Séries Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 * Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 4.5V, 10V - 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA 2.15V @ 1mA - 2.1V @ 1mA
Dissipation de puissance (max) 59W (Tc) 55W (Ta) - 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 5A, 10V 9.5mOhm @ 15A, 10V - 73mOhm @ 5A, 10V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±15V +16V, -10V - ±10V
Package / Boîte SC-100, SOT-669 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) - SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1139 pF @ 25 V 1537 pF @ 25 V - 434 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 40 V - 60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 14.8A (Tc) 40A (Ta) - 12.8A (Tc)
Package composant fournisseur LFPAK56, Power-SO8 LFPAK33 - LFPAK33
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 5 V 24 nC @ 10 V - 4.4 nC @ 5 V

Fiche technique BUK9Y104-100B,115 PDF

Téléchargez BUK9Y104-100B,115 PDF DataSheets et Documentation NXP USA Inc. pour BUK9Y104-100B,115 - NXP USA Inc..

Feuilles de données
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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