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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesAPTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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APTGT50SK120D1G - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APTGT50SK120D1G
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APTGT50SK120D1G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MODULE 1200V 75A 270W D1
Emballage
D1
Fiche technique
APTGT50SK120D1G.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
Notre certification
En stock: 4020

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques APTGT50SK120D1G
Microsemi Corporation - APTGT50SK120D1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APTGT50SK120D1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A  
Package composant fournisseur D1  
Séries -  
Puissance - Max 270 W  
Package / Boîte D1  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.6 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 5 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 75 A  
Configuration Single  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APTGT50SK120D1G

Attributs du produit APTGT50SK120D1G APTGT50DDA120T3G APTGT450SK60G APTGT50DDA60T3G
Modèle de produit APTGT50SK120D1G APTGT50DDA120T3G APTGT450SK60G APTGT50DDA60T3G
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Package composant fournisseur D1 SP3 SP6 SP3
Courant - Collecteur (Ic) (max) 75 A 75 A 550 A 80 A
Configuration Single Dual Boost Chopper Single Dual Boost Chopper
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.6 nF @ 25 V 3.6 nF @ 25 V 37 nF @ 25 V 3.15 nF @ 25 V
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V 1200 V 600 V 600 V
NTC thermistance No Yes No Yes
Contribution Standard Standard Standard Standard
Température de fonctionnement - -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A 2.1V @ 15V, 50A 1.8V @ 15V, 450A 1.9V @ 15V, 50A
Séries - - - -
Package / Boîte D1 SP3 SP6 SP3
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 5 mA 250 µA 500 µA 250 µA
Puissance - Max 270 W 270 W 1750 W 176 W
type de IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop

Fiche technique APTGT50SK120D1G PDF

Téléchargez APTGT50SK120D1G PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APTGT50SK120D1G - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
Contactez nous si vous avez des questions.

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    +00852 9146 4856

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