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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - ModulesAPTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APTGT50DA170D1G - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APTGT50DA170D1G
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APTGT50DA170D1G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT MODULE 1700V 70A 310W D1
Description détaillée
Emballage
D1
Fiche technique
APTGT50DA170D1.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 4830

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation - APTGT50DA170D1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APTGT50DA170D1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A  
Package composant fournisseur D1  
Séries -  
Puissance - Max 310 W  
Package / Boîte D1  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
NTC thermistance No  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4.4 nF @ 25 V  
Contribution Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 6 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 70 A  
Configuration Single  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APTGT50DA170D1G

Attributs du produit APTGT50DA170D1G APTGT400U170D4G APTGT50SK120D1G APTGT50SK170D1G
Modèle de produit APTGT50DA170D1G APTGT400U170D4G APTGT50SK120D1G APTGT50SK170D1G
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microsemi Corporation
Package composant fournisseur D1 D4 D1 D1
Emballer Bulk Bulk Bulk Bulk
Configuration Single Single Single Single
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4.4 nF @ 25 V 33 nF @ 25 V 3.6 nF @ 25 V 4.4 nF @ 25 V
type de IGBT Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop Trench Field Stop
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - Collecteur (Ic) (max) 70 A 800 A 75 A 70 A
Séries - - - -
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) - - -
NTC thermistance No No No No
Contribution Standard Standard Standard Standard
Puissance - Max 310 W 2080 W 270 W 310 W
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 6 mA 1 mA 5 mA 6 mA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1700 V 1700 V 1200 V 1700 V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A 2.4V @ 15V, 400A 2.1V @ 15V, 50A 2.4V @ 15V, 50A
Package / Boîte D1 D4 D1 D1

Fiche technique APTGT50DA170D1G PDF

Téléchargez APTGT50DA170D1G PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APTGT50DA170D1G - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Feuilles de données
APTGT50DA170D1.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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