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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT94N65B2C3G
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT94N65B2C3G - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT94N65B2C3G
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT94N65B2C3G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
Description détaillée
Emballage
TO-247-3 Variant
Fiche technique
APT94N65B2C3G.pdf
État RoHS
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT94N65B2C3G
Microsemi Corporation - APT94N65B2C3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT94N65B2C3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.8mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2]  
Séries CoolMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 47A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 833W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3 Variant  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13940 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 580 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 94A (Tc)  
Numéro de produit de base APT94N65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT94N65B2C3G

Attributs du produit APT94N65B2C3G APT94N60L2C3G APT80SM120B APT9F100B
Modèle de produit APT94N65B2C3G APT94N60L2C3G APT80SM120B APT9F100B
Fabricant Microsemi Corporation Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Dissipation de puissance (max) 833W (Tc) 833W (Tc) 555W (Tc) 337W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 94A (Tc) 94A (Tc) 80A (Tc) 9A (Tc)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V +25V, -10V ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur T-MAX™ [B2] 264 MAX™ [L2] TO-247 TO-247 [B]
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 20V 10V
Séries CoolMOS™ - - POWER MOS 8™
Numéro de produit de base APT94N65 APT94N60 - APT9F100
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 580 nC @ 10 V 640 nC @ 10 V 235 nC @ 20 V 80 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.8mA 3.9V @ 5.4mA 2.5V @ 1mA 5V @ 1mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13940 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V - 2606 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 47A, 10V 35mOhm @ 60A, 10V 55mOhm @ 40A, 20V 1.6Ohm @ 5A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 1200 V 1000 V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-247-3 Variant TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 TO-247-3
Fonction FET - - - -

Fiche technique APT94N65B2C3G PDF

Téléchargez APT94N65B2C3G PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT94N65B2C3G - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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