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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT94N60L2C3G
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT94N60L2C3G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT94N60L2C3G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT94N60L2C3G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX
Description détaillée
Emballage
TO-264-3, TO-264AA
Fiche technique
Power Products Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 1901

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT94N60L2C3G
Microchip Technology - APT94N60L2C3G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT94N60L2C3G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 264 MAX™ [L2]  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 60A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 833W (Tc)  
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 640 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 94A (Tc)  
Numéro de produit de base APT94N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT94N60L2C3G

Attributs du produit APT94N60L2C3G APT9M100B APT80M60J APT80SM120B
Modèle de produit APT94N60L2C3G APT9M100B APT80M60J APT80SM120B
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation
Dissipation de puissance (max) 833W (Tc) 335W (Tc) 960W (Tc) 555W (Tc)
Numéro de produit de base APT94N60 APT9M100 APT80M60 -
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 600 V 1000 V 600 V 1200 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 94A (Tc) 9A (Tc) 84A (Tc) 80A (Tc)
Emballer Tube Tube Tube Bulk
Package composant fournisseur 264 MAX™ [L2] TO-247 [B] ISOTOP® TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 60A, 10V 1.4Ohm @ 5A, 10V 55mOhm @ 60A, 10V 55mOhm @ 40A, 20V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V +25V, -10V
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount Through Hole
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 640 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 600 nC @ 10 V 235 nC @ 20 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-264-3, TO-264AA TO-247-3 SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13600 pF @ 25 V 2605 pF @ 25 V 24000 pF @ 25 V -
Séries - POWER MOS 8™ POWER MOS 8™ -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 5.4mA 5V @ 1mA 5V @ 5mA 2.5V @ 1mA

Fiche technique APT94N60L2C3G PDF

Téléchargez APT94N60L2C3G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT94N60L2C3G - Microchip Technology.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
PCN Autre
Integration 13/May/2020.pdf
Fiche technique HTML
Power Products Catalog.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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