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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleAPT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT11GF120BRDQ1G - Microsemi Corporation

Fabricant Modèle de produit
APT11GF120BRDQ1G
Fabricant
Microsemi
Allelco Modèle de produit
32D-APT11GF120BRDQ1G
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1200V 25A 156W TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
APT11GF120BRDQ1(G).pdf
En stock: 5080

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation - APT11GF120BRDQ1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microsemi Corporation - APT11GF120BRDQ1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 8A  
Condition de test 800V, 8A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 7ns/100ns  
énergie de commutation 300µJ (on), 285µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-247 [B]  
Séries -  
Puissance - Max 156 W  
Package / Boîte TO-247-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT NPT  
gate charge 65 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 24 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 25 A  
Numéro de produit de base APT11G  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microsemi Corporation APT11GF120BRDQ1G

Attributs du produit APT11GF120BRDQ1G APT10SCD65K APT12031JFLL APT1201R6BVR
Modèle de produit APT11GF120BRDQ1G APT10SCD65K APT12031JFLL APT1201R6BVR
Fabricant Microsemi Corporation Microsemi Corporation Microchip Technology APT
Package composant fournisseur TO-247 [B] TO-220-2 ISOTOP® -
énergie de commutation 300µJ (on), 285µJ (off) - - -
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 8A - - -
Type d'entrée Standard - - -
type de IGBT NPT - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -
Séries - - POWER MOS 7® -
Type de montage Through Hole Through Hole Chassis Mount -
Package / Boîte TO-247-3 TO-220-2 SOT-227-4, miniBLOC -
Numéro de produit de base APT11G - APT12031 -
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 24 A - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200 V - - -
Condition de test 800V, 8A, 10Ohm, 15V - - -
Puissance - Max 156 W - - -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 7ns/100ns - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 25 A - - -
Emballer Tube Bulk Tube -
gate charge 65 nC - - -

Fiche technique APT11GF120BRDQ1G PDF

Téléchargez APT11GF120BRDQ1G PDF DataSheets et Documentation Microsemi Corporation pour APT11GF120BRDQ1G - Microsemi Corporation.

Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Feuilles de données
APT11GF120BRDQ1(G).pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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