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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleAPT12040JVR
APT12040JVR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

APT12040JVR - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
APT12040JVR
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-APT12040JVR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1200V 26A SOT227
Description détaillée
Emballage
SOT-227-4, miniBLOC
Fiche technique
APT12040JVR.pdf
En stock: 303

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques APT12040JVR
Microchip Technology - APT12040JVR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - APT12040JVR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-227 (ISOTOP®)  
Séries POWER MOS V®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc)  
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Chassis Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18000 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1200 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc)  
Numéro de produit de base APT12040  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology APT12040JVR

Attributs du produit APT12040JVR APT1201R6SVFRG APT12067JLL APT12031JFLL
Modèle de produit APT12040JVR APT1201R6SVFRG APT12067JLL APT12031JFLL
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microsemi Corporation Microchip Technology
Package composant fournisseur SOT-227 (ISOTOP®) D3 [S] SOT-227 ISOTOP®
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 18000 pF @ 25 V 3660 pF @ 25 V 6200 pF @ 25 V 9480 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
Dissipation de puissance (max) 700W (Tc) - 460W (Tc) 690AW (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA 4V @ 1mA 5V @ 2.5mA 5V @ 5mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 13A, 10V 1.6Ohm @ 4A, 10V 570mOhm @ 10A, 10V 330mOhm @ 15A, 10V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Package / Boîte SOT-227-4, miniBLOC TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Numéro de produit de base APT12040 APT1201 APT12067 APT12031
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1200 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 365 nC @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Type de montage Chassis Mount Surface Mount Chassis Mount Chassis Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Tc) 8A (Tc) 17A (Tc) 30A (Tc)
Séries POWER MOS V® POWER MOS V® POWER MOS 7® POWER MOS 7®

Fiche technique APT12040JVR PDF

Téléchargez APT12040JVR PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour APT12040JVR - Microchip Technology.

Informations environnementales
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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