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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleMCQ12N06-TP
Micro Commercial Co
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MCQ12N06-TP - Micro Commercial Co

Fabricant Modèle de produit
MCQ12N06-TP
Fabricant
Micro Commercial Components (MCC)
Allelco Modèle de produit
32D-MCQ12N06-TP
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
MCQ12N06.pdf
État RoHS
En stock: 116260

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MCQ12N06-TP
Micro Commercial Co - MCQ12N06-TP Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Micro Commercial Co - MCQ12N06-TP

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Micro Commercial Components (MCC)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1988 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tj)  
Numéro de produit de base MCQ12N06  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Micro Commercial Co MCQ12N06-TP

Attributs du produit MCQ12N06-TP FDC86244 IRF2907ZPBF IPT007N06NATMA1
Modèle de produit MCQ12N06-TP FDC86244 IRF2907ZPBF IPT007N06NATMA1
Fabricant Micro Commercial Co onsemi Infineon Technologies Infineon Technologies
Package composant fournisseur 8-SOP SuperSOT™-6 TO-220AB PG-HSOF-8-1
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tj) 2.3A (Ta) 160A (Tc) 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 12A, 10V 144mOhm @ 2.3A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 0.75mOhm @ 150A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V 287 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - PowerTrench® HEXFET® OptiMOS™
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TO-220-3 8-PowerSFN
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1988 pF @ 30 V 345 pF @ 75 V 7500 pF @ 25 V 16000 pF @ 30 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Numéro de produit de base MCQ12N06 FDC8624 IRF2907 IPT007
Tension drain-source (Vdss) 60 V 150 V 75 V 60 V
Dissipation de puissance (max) 3.1W 1.6W (Ta) 300W (Tc) 375W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.3V @ 280µA

Fiche technique MCQ12N06-TP PDF

Téléchargez MCQ12N06-TP PDF DataSheets et Documentation Micro Commercial Co pour MCQ12N06-TP - Micro Commercial Co.

Informations environnementales
Micro Commercial CA Prop65.pdf Micro Commercial REACH.pdf Micro Commercial RoHS.pdf
Feuilles de données
MCQ12N06.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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