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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFQP85N06
FQP85N06 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FQP85N06 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FQP85N06
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FQP85N06
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FQP85N06.pdf
État RoHS
En stock: 33626

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FQP85N06
onsemi - FQP85N06 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FQP85N06

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries QFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 42.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4120 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc)  
Numéro de produit de base FQP85  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FQP85N06

Attributs du produit FQP85N06 FQP7P06 FQP7P20 FQP8N60C
Modèle de produit FQP85N06 FQP7P06 FQP7P20 FQP8N60C
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Numéro de produit de base FQP85 - - FQP8
Dissipation de puissance (max) 160W (Tc) 45W (Tc) 90W (Tc) 147W (Tc)
Vgs (Max) ±25V ±25V ±30V ±30V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 42.5A, 10V 410mOhm @ 3.5A, 10V 690mOhm @ 3.65A, 10V 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85A (Tc) 7A (Tc) 7.3A (Tc) 7.5A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4120 pF @ 25 V 295 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 1255 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 112 nC @ 10 V 8.2 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 200 V 600 V
Séries QFET® QFET® QFET® QFET®
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel

Fiche technique FQP85N06 PDF

Téléchargez FQP85N06 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FQP85N06 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FQP85N06.pdf
Assemblage / origine PCN
MFG Site Addition 09/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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