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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleVN2210N3-G
VN2210N3-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VN2210N3-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
VN2210N3-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-VN2210N3-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
VN2210N3-G.pdf
État RoHS
En stock: 15831

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VN2210N3-G
Microchip Technology - VN2210N3-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - VN2210N3-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 10mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 740mW (Tc)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Tj)  
Numéro de produit de base VN2210  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology VN2210N3-G

Attributs du produit VN2210N3-G VN2222LL VN2210N2 VN2222LL-G
Modèle de produit VN2210N3-G VN2222LL VN2210N2 VN2222LL-G
Fabricant Microchip Technology onsemi Microchip Technology Microchip Technology
Emballer Bag Tape & Box (TB) Bag Bag
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 10mA 2.5V @ 1mA 2.4V @ 10mA 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 100 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 4A, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 4A, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Package composant fournisseur TO-92-3 TO-92 (TO-226) TO-39 TO-92-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 10V 5V, 10V 5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V
Séries - - - -
Numéro de produit de base VN2210 VN2222 VN2210 VN2222
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.2A (Tj) 150mA (Ta) 1.7A (Tj) 230mA (Tj)
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 740mW (Tc) 400mW (Ta) 360mW (Tc) 400mW (Ta), 1W (Tc)
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Fiche technique VN2210N3-G PDF

Téléchargez VN2210N3-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour VN2210N3-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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VN2210N3-G

Microchip Technology
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