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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleVN2110K1-G
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

VN2110K1-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
VN2110K1-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-VN2110K1-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 200MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
VN2110.pdf
État RoHS
En stock: 67380

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques VN2110K1-G
Microchip Technology - VN2110K1-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - VN2110K1-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 360mW (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Tj)  
Numéro de produit de base VN2110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology VN2110K1-G

Attributs du produit VN2110K1-G VN2106N3-G VN2222LL-G VN2210N3-G
Modèle de produit VN2110K1-G VN2106N3-G VN2222LL-G VN2210N3-G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA 2.4V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.4V @ 10mA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Tj) 300mA (Tj) 230mA (Tj) 1.2A (Tj)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23-3 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 100 V
Numéro de produit de base VN2110 VN2106 VN2222 VN2210
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Bag Bag Bag
Dissipation de puissance (max) 360mW (Tc) 1W (Tc) 400mW (Ta), 1W (Tc) 740mW (Tc)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V 350mOhm @ 4A, 10V

Fiche technique VN2110K1-G PDF

Téléchargez VN2110K1-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour VN2110K1-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014.pdf
Feuilles de données
VN2110.pdf
Conception / spécification PCN
VN2110 03/Sep/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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