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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTN2130K1-G
Microchip Technology
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TN2130K1-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
TN2130K1-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-TN2130K1-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TN2130K1-G.pdf
État RoHS
En stock: 111920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TN2130K1-G
Microchip Technology - TN2130K1-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - TN2130K1-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-236AB (SOT23)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 120mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 360mW (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 300 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85mA (Tj)  
Numéro de produit de base TN2130  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology TN2130K1-G

Attributs du produit TN2130K1-G TN2106K1-G TN2124K1-G TN2106N3-G
Modèle de produit TN2130K1-G TN2106K1-G TN2124K1-G TN2106N3-G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V 4.5V, 10V 3V, 4.5V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25Ohm @ 120mA, 4.5V 2.5Ohm @ 500mA, 10V 15Ohm @ 120mA, 4.5V 2.5Ohm @ 500mA, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bag
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 85mA (Tj) 280mA (Tj) 134mA (Tj) 300mA (Tj)
Numéro de produit de base TN2130 TN2106 TN2124 TN2106
Dissipation de puissance (max) 360mW (Tc) 360mW (Tc) 360mW (Tc) 740mW (Tc)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Package composant fournisseur TO-236AB (SOT23) TO-236AB (SOT23) TO-236AB (SOT23) TO-92-3
Tension drain-source (Vdss) 300 V 60 V 240 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique TN2130K1-G PDF

Téléchargez TN2130K1-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour TN2130K1-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf Packing Changes 10/Oct/2016.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
TN2130 24/Mar/2022.pdf TN2130K1-G 17/Mar/2023.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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