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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTN2106N3-G
TN2106N3-G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TN2106N3-G - Microchip Technology

Fabricant Modèle de produit
TN2106N3-G
Fabricant
Microchip Technology
Allelco Modèle de produit
32D-TN2106N3-G
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
Description détaillée
Emballage
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Fiche technique
TN2106N3-G.pdf
État RoHS
En stock: 63370

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TN2106N3-G
Microchip Technology - TN2106N3-G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Microchip Technology - TN2106N3-G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Microchip Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-92-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 740mW (Tc)  
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Emballer Bag  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Tj)  
Numéro de produit de base TN2106  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Microchip Technology TN2106N3-G

Attributs du produit TN2106N3-G TN2124K1-G TN2106K1-G TN2130K1-G
Modèle de produit TN2106N3-G TN2124K1-G TN2106K1-G TN2130K1-G
Fabricant Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Tj) 134mA (Tj) 280mA (Tj) 85mA (Tj)
Dissipation de puissance (max) 740mW (Tc) 360mW (Tc) 360mW (Tc) 360mW (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 3V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V
Séries - - - -
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5Ohm @ 500mA, 10V 15Ohm @ 120mA, 4.5V 2.5Ohm @ 500mA, 10V 25Ohm @ 120mA, 4.5V
Numéro de produit de base TN2106 TN2124 TN2106 TN2130
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2.4V @ 1mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 240 V 60 V 300 V
Emballer Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-92-3 TO-236AB (SOT23) TO-236AB (SOT23) TO-236AB (SOT23)
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique TN2106N3-G PDF

Téléchargez TN2106N3-G PDF DataSheets et Documentation Microchip Technology pour TN2106N3-G - Microchip Technology.

Emballage PCN
Label and Packing Changes 23/Sep/2015.pdf
Informations environnementales
Microchip CA Prop65.pdf Microchip REACH.pdf Microchip RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
New Mold Compound 16/May/2022.pdf
Conception / spécification PCN
TN2106 30/Oct/2020.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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TN2106N3-G

Microchip Technology
32D-TN2106N3-G

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