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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD22204W
CSD22204W Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD22204W - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD22204W
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD22204W
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 8V 5A 9DSBGA
Description détaillée
Emballage
9-UFBGA, DSBGA
Fiche technique
CSD22204W.pdf
État RoHS
En stock: 61440

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD22204W
Texas Instruments - CSD22204W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD22204W

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) -6V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 9-DSBGA  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 2A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta)  
Package / Boîte 9-UFBGA, DSBGA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 4 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.6 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 8 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD22204  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD22204W

Attributs du produit CSD22204W CSD23202W10 CSD23280F3T CSD23203W
Modèle de produit CSD22204W CSD23202W10 CSD23280F3T CSD23203W
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tension drain-source (Vdss) 8 V 12 V 12 V 8 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24.6 nC @ 4.5 V 3.8 nC @ 4.5 V 1.23 nC @ 4.5 V 6.3 nC @ 4.5 V
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta) 1W (Ta) 500mW (Ta) 750mW (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 900mV @ 250µA 950mV @ 250µA 1.1V @ 250µA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.9mOhm @ 2A, 4.5V 53mOhm @ 500mA, 4.5V 116mOhm @ 400mA, 4.5V 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 9-UFBGA, DSBGA 4-UFBGA, DSBGA 3-XFDFN 6-UFBGA, DSBGA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta) 2.2A (Ta) 1.8A (Ta) 3A (Ta)
Vgs (Max) -6V -6V -6V -6V
Package composant fournisseur 9-DSBGA 4-DSBGA (1x1) 3-PICOSTAR 6-DSBGA (1x1.5)
Numéro de produit de base CSD22204 CSD23202 CSD23280 CSD23203
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1130 pF @ 4 V 512 pF @ 6 V 234 pF @ 6 V 914 pF @ 4 V
Séries NexFET™ NexFET™ FemtoFET™ NexFET™
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CSD22204W

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32D-CSD22204W

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