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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD19538Q3A
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD19538Q3A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD19538Q3A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD19538Q3A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
CSD19538Q3A.pdf
État RoHS
En stock: 153140

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD19538Q3A
Texas Instruments - CSD19538Q3A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD19538Q3A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (3x3.3)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 23W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD19538  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD19538Q3A

Attributs du produit CSD19538Q3A CSD22202W15 CSD19535KCS CSD19536KTT
Modèle de produit CSD19538Q3A CSD22202W15 CSD19535KCS CSD19536KTT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 250µA 1.1V @ 250µA 3.4V @ 250µA 3.2V @ 250µA
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerVDFN 9-UFBGA, DSBGA TO-220-3 TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 454 pF @ 50 V 1390 pF @ 4 V 7930 pF @ 50 V 12000 pF @ 50 V
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 5A, 10V 12.2mOhm @ 2A, 4.5V 3.6mOhm @ 100A, 10V 2.4mOhm @ 100A, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 23W (Tc) 1.5W (Ta) 300W (Tc) 375W (Tc)
Package composant fournisseur 8-VSONP (3x3.3) 9-DSBGA TO-220-3 DDPAK/TO-263-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V -6V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta) 10A (Ta) 150A (Ta) 200A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 100 V 8 V 100 V 100 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 10 V 8.4 nC @ 4.5 V 101 nC @ 10 V 153 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 2.5V, 4.5V 6V, 10V 6V, 10V
Numéro de produit de base CSD19538 CSD22202 CSD19535 CSD19536
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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