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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD18533KCS
CSD18533KCS Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD18533KCS - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD18533KCS
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD18533KCS
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 72A/100A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
CSD18533KCS.pdf
État RoHS
En stock: 46420

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD18533KCS
Texas Instruments - CSD18533KCS Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD18533KCS

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 75A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 192W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3025 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 72A (Ta), 100A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD18533  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD18533KCS

Attributs du produit CSD18533KCS CSD18533Q5AT CSD18531Q5A CSD18513Q5AT
Modèle de produit CSD18533KCS CSD18533Q5AT CSD18531Q5A CSD18513Q5AT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Numéro de produit de base CSD18533 CSD18533 CSD18531 CSD18513
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Package composant fournisseur TO-220-3 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6)
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3025 pF @ 30 V 2750 pF @ 30 V 3840 pF @ 30 V 4280 pF @ 20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 75A, 10V 5.9mOhm @ 18A, 10V 4.6mOhm @ 22A, 10V 5.3mOhm @ 19A, 10V
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 40 V
Dissipation de puissance (max) 192W (Tc) 3.2W (Ta), 116W (Tc) 3.1W (Ta), 156W (Tc) 96W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 72A (Ta), 100A (Tc) 17A (Ta), 100A (Tc) 19A (Ta), 100A (Tc) 124A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique CSD18533KCS PDF

Téléchargez CSD18533KCS PDF DataSheets et Documentation Texas Instruments pour CSD18533KCS - Texas Instruments.

Assemblage / origine PCN
Site Chg 04/Dec/2015.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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