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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD18513Q5A
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD18513Q5A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD18513Q5A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD18513Q5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD18513Q5A.pdf
État RoHS
En stock: 59560

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD18513Q5A
Texas Instruments - CSD18513Q5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD18513Q5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 96W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 124A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD18513  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD18513Q5A

Attributs du produit CSD18513Q5A CSD18511KTT CSD18511Q5AT CSD18509Q5B
Modèle de produit CSD18513Q5A CSD18511KTT CSD18511Q5AT CSD18509Q5B
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 96W (Tc) 188W (Ta) 104W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 40 V 40 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.45V @ 250µA 2.2V @ 250µA
Numéro de produit de base CSD18513 CSD18511 CSD18511 CSD18509
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-PowerTDFN TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 61 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4280 pF @ 20 V 5940 pF @ 20 V 5850 pF @ 10 V 13900 pF @ 20 V
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6) DDPAK/TO-263-3 8-VSONP (5x6) 8-VSON-CLIP (5x6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 19A, 10V 2.6mOhm @ 100A, 10V 3.5mOhm @ 24A, 4.5V 1.2mOhm @ 32A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 124A (Tc) 194A (Ta) 159A (Tc) 100A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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