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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD18511Q5A
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD18511Q5A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD18511Q5A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD18511Q5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD18511Q5A.pdf
État RoHS
En stock: 64150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD18511Q5A
Texas Instruments - CSD18511Q5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD18511Q5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5850 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 159A (Tc)  
Numéro de produit de base CSD18511  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD18511Q5A

Attributs du produit CSD18511Q5A CSD18504KCS CSD18531Q5AT CSD18513Q5AT
Modèle de produit CSD18511Q5A CSD18504KCS CSD18531Q5AT CSD18513Q5AT
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 63 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 61 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5850 pF @ 10 V 1800 pF @ 20 V 3840 pF @ 30 V 4280 pF @ 20 V
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6) TO-220-3 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 159A (Tc) 53A (Ta), 100A (Tc) 100A (Ta) 124A (Tc)
Package / Boîte 8-PowerTDFN TO-220-3 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Numéro de produit de base CSD18511 CSD18504 CSD18531 CSD18513
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc) 115W (Tc) 3.1W (Ta), 156W (Tc) 96W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.3V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 24A, 4.5V 7mOhm @ 40A, 10V 4.6mOhm @ 22A, 10V 5.3mOhm @ 19A, 10V
Tension drain-source (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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