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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17578Q5A
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17578Q5A - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17578Q5A
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17578Q5A
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
CSD17578Q5A.pdf
État RoHS
En stock: 130050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17578Q5A
Texas Instruments - CSD17578Q5A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17578Q5A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 42W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.3 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD17578  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17578Q5A

Attributs du produit CSD17578Q5A CSD17578Q3AT CSD17576Q5BT CSD17579Q5A
Modèle de produit CSD17578Q5A CSD17578Q3AT CSD17576Q5BT CSD17579Q5A
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 15 V 1590 pF @ 15 V 4430 pF @ 15 V 1030 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (3x3.3) 8-VSONP (5x6) 8-VSONP (5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base CSD17578 CSD17578 CSD17576Q5 CSD17579
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.8V @ 250µA 2V @ 250µA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.3 nC @ 10 V 22.2 nC @ 10 V 32 nC @ 4.5 V 15.1 nC @ 10 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 42W (Tc) 3.2W (Ta), 37W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 10A, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 2mOhm @ 25A, 10V 9.7mOhm @ 8A, 10V
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta) 20A (Ta) 100A (Ta) 25A (Ta)

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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