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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleCSD17578Q3AT
Texas Instruments
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CSD17578Q3AT - Texas Instruments

Fabricant Modèle de produit
CSD17578Q3AT
Fabricant
Texas Instruments
Allelco Modèle de produit
32D-CSD17578Q3AT
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
CSD17578Q3AT.pdf
État RoHS
En stock: 51280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CSD17578Q3AT
Texas Instruments - CSD17578Q3AT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Texas Instruments - CSD17578Q3AT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Texas Instruments  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-VSONP (3x3.3)  
Séries NexFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 37W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)  
Numéro de produit de base CSD17578  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Texas Instruments CSD17578Q3AT

Attributs du produit CSD17578Q3AT CSD17578Q3A CSD17579Q3AT CSD17579Q3A
Modèle de produit CSD17578Q3AT CSD17578Q3A CSD17579Q3AT CSD17579Q3A
Fabricant Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA 1.9V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 3.2W (Ta), 37W (Tc) 3.2W (Ta), 37W (Tc) 3.2W (Ta), 29W (Tc) 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur 8-VSONP (3x3.3) 8-VSONP (3x3.3) 8-VSONP (3x3.3) 8-VSONP (3x3.3)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V 7.3mOhm @ 10A, 10V 10.2mOhm @ 8A, 10V 10.2mOhm @ 8A, 10V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.2 nC @ 10 V 22.2 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numéro de produit de base CSD17578 CSD17578 CSD17579 CSD17579
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Séries NexFET™ NexFET™ NexFET™ NexFET™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1590 pF @ 15 V 1590 pF @ 15 V 998 pF @ 15 V 998 pF @ 15 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta) 20A (Ta) 20A (Ta) 20A (Ta)

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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