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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTT8U2TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TT8U2TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
TT8U2TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-TT8U2TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
TT8U2 ~.pdf
État RoHS
En stock: 183840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TT8U2TR
Rohm Semiconductor - TT8U2TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - TT8U2TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSST  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta)  
Numéro de produit de base TT8U2  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor TT8U2TR

Attributs du produit TT8U2TR TT8U1TR TT8J11TCR TT8U2FU7TR
Modèle de produit TT8U2TR TT8U1TR TT8J11TCR TT8U2FU7TR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Séries - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V - -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) - -
Numéro de produit de base TT8U2 TT8U1 TT8J11 -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V 105mOhm @ 2.4A, 4.5V 43mOhm @ 3.5A, 4.5V -
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) Logic Level Gate, 1.5V Drive -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta) 2.4A (Ta) 3.5A -
Package composant fournisseur 8-TSST 8-TSST 8-TSST -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V 6.7 nC @ 4.5 V 22nC @ 4.5V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA -
type de FET P-Channel P-Channel - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 12V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V 850 pF @ 10 V 2600pF @ 6V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead -

Fiche technique TT8U2TR PDF

Téléchargez TT8U2TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour TT8U2TR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
Feuilles de données
TT8U2 ~.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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