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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTT8U1TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TT8U1TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
TT8U1TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-TT8U1TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
TT8U1TR.pdf
État RoHS
En stock: 120690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TT8U1TR
Rohm Semiconductor - TT8U1TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - TT8U1TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSST  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta)  
Numéro de produit de base TT8U1  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor TT8U1TR

Attributs du produit TT8U1TR TT8U2TR TT8J21/TR TT8J11TCR
Modèle de produit TT8U1TR TT8U2TR TT8J21/TR TT8J11TCR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology Rohm Semiconductor
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V 6.7 nC @ 4.5 V - 22nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V 105mOhm @ 2.4A, 4.5V - 43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (Max) ±10V ±10V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.4A (Ta) 2.4A (Ta) - 3.5A
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V 850 pF @ 10 V - 2600pF @ 6V
type de FET P-Channel P-Channel - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V - -
Numéro de produit de base TT8U1 TT8U2 - TT8J11
Fonction FET Schottky Diode (Isolated) Schottky Diode (Isolated) - Logic Level Gate, 1.5V Drive
Package composant fournisseur 8-TSST 8-TSST - 8-TSST
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead - 8-SMD, Flat Lead
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - 1V @ 1mA
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V - 12V
Séries - - - -

Fiche technique TT8U1TR PDF

Téléchargez TT8U1TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour TT8U1TR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
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Informations environnementales
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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