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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSCT2160KEC
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SCT2160KEC - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SCT2160KEC
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-SCT2160KEC
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
SCT2160KEC.pdf
État RoHS
En stock: 5240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SCT2160KEC
Rohm Semiconductor - SCT2160KEC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - SCT2160KEC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA  
Vgs (Max) +22V, -6V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-247  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V  
Dissipation de puissance (max) 165W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 800 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 18 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 18V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base SCT2160  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor SCT2160KEC

Attributs du produit SCT2160KEC SCT2080KEC SCT2120AFC SCT20N120
Modèle de produit SCT2160KEC SCT2080KEC SCT2120AFC SCT20N120
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor STMicroelectronics
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 62 nC @ 18 V 106 nC @ 18 V 61 nC @ 18 V 45 nC @ 20 V
Numéro de produit de base SCT2160 SCT2080 SCT2120 SCT20
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) +22V, -6V +22V, -6V +22V, -6V +25V, -10V
Package composant fournisseur TO-247 TO-247 TO-220AB HiP247™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 18V 18V 18V 20V
Emballer Tube Tube Tube Tube
Dissipation de puissance (max) 165W (Tc) 262W (Tc) 165W (Tc) 175W (Tc)
Température de fonctionnement 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 1200 V 650 V 1200 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 800 V 2080 pF @ 800 V 1200 pF @ 500 V 650 pF @ 400 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 208mOhm @ 7A, 18V 117mOhm @ 10A, 18V 156mOhm @ 10A, 18V 290mOhm @ 10A, 20V
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA 4V @ 4.4mA 4V @ 3.3mA 3.5V @ 1mA
Fonction FET - - - -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 40A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc)

Fiche technique SCT2160KEC PDF

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PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 15/Oct/2021.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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