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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSCT2080KEHRC11
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SCT2080KEHRC11 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SCT2080KEHRC11
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-SCT2080KEHRC11
Modèle ECAD
Description des pièces
SICFET N-CH 1200V 40A TO247N
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
SCT2080KEHRC11.pdf
État RoHS
En stock: 1224

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SCT2080KEHRC11
Rohm Semiconductor - SCT2080KEHRC11 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - SCT2080KEHRC11

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA  
Vgs (Max) +22V, -6V  
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Package composant fournisseur TO-247N  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 10A, 18V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 800 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 18 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 18V  
Tension drain-source (Vdss) 1200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)  
Numéro de produit de base SCT2080  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor SCT2080KEHRC11

Attributs du produit SCT2080KEHRC11 SCT2120AFC SCT20N120 SCT2080KEC
Modèle de produit SCT2080KEHRC11 SCT2120AFC SCT20N120 SCT2080KEC
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor STMicroelectronics Rohm Semiconductor
Package / Boîte TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3 TO-247-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc) 29A (Tc) 20A (Tc) 40A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 18V 18V 20V 18V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117mOhm @ 10A, 18V 156mOhm @ 10A, 18V 290mOhm @ 10A, 20V 117mOhm @ 10A, 18V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 106 nC @ 18 V 61 nC @ 18 V 45 nC @ 20 V 106 nC @ 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA 4V @ 3.3mA 3.5V @ 1mA 4V @ 4.4mA
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) - 165W (Tc) 175W (Tc) 262W (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 800 V 1200 pF @ 500 V 650 pF @ 400 V 2080 pF @ 800 V
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Tension drain-source (Vdss) 1200 V 650 V 1200 V 1200 V
Vgs (Max) +22V, -6V +22V, -6V +25V, -10V +22V, -6V
Température de fonctionnement 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) 175°C (TJ)
Numéro de produit de base SCT2080 SCT2120 SCT20 SCT2080
Fonction FET - - - -
Emballer Tube Tube Tube Tube
La technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur TO-247N TO-220AB HiP247™ TO-247

Fiche technique SCT2080KEHRC11 PDF

Téléchargez SCT2080KEHRC11 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour SCT2080KEHRC11 - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
SCT PPAP Statement.pdf

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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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