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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSCS220AGHRC
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SCS220AGHRC - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SCS220AGHRC
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-SCS220AGHRC
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Description détaillée
Emballage
TO-220-2
Fiche technique
SiC Power Devices Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 4410

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SCS220AGHRC
Rohm Semiconductor - SCS220AGHRC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - SCS220AGHRC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55 V @ 20 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur TO-220AC  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries Automotive, AEC-Q101  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 400 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A  
Capacité à Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base SCS220  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor SCS220AGHRC

Attributs du produit SCS220AGHRC SCS215AMC SCS220KGC SCS215KGC
Modèle de produit SCS220AGHRC SCS215AMC SCS220KGC SCS215KGC
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55 V @ 20 A 1.55 V @ 12 A 1.6 V @ 20 A 1.6 V @ 15 A
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 650 V 1200 V 1200 V
Séries Automotive, AEC-Q101 - - -
Capacité à Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz 438pF @ 1V, 1MHz 1060pF @ 1V, 1MHz 790pF @ 1V, 1MHz
Package composant fournisseur TO-220AC TO-220FM TO-220AC TO-220AC
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Numéro de produit de base SCS220 SCS215 SCS220 SCS215
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A 12A 20A 15A
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Courant - fuite, inverse à Vr 400 µA @ 600 V 240 µA @ 600 V 400 µA @ 1200 V 300 µA @ 1200 V
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Package / Boîte TO-220-2 TO-220-2 Full Pack TO-220-2 TO-220-2
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)

Fiche technique SCS220AGHRC PDF

Téléchargez SCS220AGHRC PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour SCS220AGHRC - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
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Fiche technique HTML
SiC Power Devices Catalog.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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