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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleSCS220AGC
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SCS220AGC - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
SCS220AGC
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-SCS220AGC
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Description détaillée
Emballage
TO-220-2
Fiche technique
SiC Power Devices Catalog.pdf
État RoHS
En stock: 4220

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SCS220AGC
Rohm Semiconductor - SCS220AGC Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - SCS220AGC

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55 V @ 20 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V  
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Package composant fournisseur TO-220AC  
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-2  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 400 µA @ 600 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A  
Capacité à Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz  
Numéro de produit de base SCS220  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor SCS220AGC

Attributs du produit SCS220AGC SCS215AMC SCS220AEC SCS215KGC
Modèle de produit SCS220AGC SCS215AMC SCS220AEC SCS215KGC
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - fuite, inverse à Vr 400 µA @ 600 V 240 µA @ 600 V 400 µA @ 600 V 300 µA @ 1200 V
Séries - - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
La technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Numéro de produit de base SCS220 SCS215 SCS220 SCS215
Package composant fournisseur TO-220AC TO-220FM TO-247 TO-220AC
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacité à Vr, F 730pF @ 1V, 1MHz 438pF @ 1V, 1MHz 730pF @ 1V, 1MHz 790pF @ 1V, 1MHz
Tension - inverse (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 1200 V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A 12A 20A 15A
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55 V @ 20 A 1.55 V @ 12 A 1.55 V @ 20 A 1.6 V @ 15 A
Package / Boîte TO-220-2 TO-220-2 Full Pack TO-247-3 TO-220-2
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)
Emballer Tube Tube Tube Tube

Fiche technique SCS220AGC PDF

Téléchargez SCS220AGC PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour SCS220AGC - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 15/Oct/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
SCS2yy Site Chgs 7/Jan/2021.pdf
Fiche technique HTML
SiC Power Devices Catalog.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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