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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRYM002N05T2CL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RYM002N05T2CL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RYM002N05T2CL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RYM002N05T2CL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Description détaillée
Emballage
SOT-723
Fiche technique
RYM002N05T2CL.pdf
État RoHS
En stock: 505150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RYM002N05T2CL
Rohm Semiconductor - RYM002N05T2CL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RYM002N05T2CL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur VMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-723  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0.9V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)  
Numéro de produit de base RYM002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RYM002N05T2CL

Attributs du produit RYM002N05T2CL STB200NF04L RJK0655DPB-00#J5 CPH3348-TL-W
Modèle de produit RYM002N05T2CL STB200NF04L RJK0655DPB-00#J5 CPH3348-TL-W
Fabricant Rohm Semiconductor STMicroelectronics Renesas Electronics America Inc onsemi
Numéro de produit de base RYM002 STB200N RJK0655 CPH3348
Package composant fournisseur VMT3 D2PAK LFPAK 3-CPH
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta) 300W (Tc) 60W (Tc) 1W (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 50 V 40 V 60 V 12 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta) 120A (Tc) 35A (Ta) 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.5mOhm @ 50A, 10V 6.7mOhm @ 17.5A, 10V 70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA 4V @ 250µA - 1.4V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 0.9V, 4.5V 5V, 10V 10V 1.8V, 4.5V
Package / Boîte SOT-723 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SC-100, SOT-669 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V 6400 pF @ 25 V 2550 pF @ 10 V 405 pF @ 6 V
Vgs (Max) ±8V ±16V ±20V ±10V
Séries - STripFET™ II - -

Fiche technique RYM002N05T2CL PDF

Téléchargez RYM002N05T2CL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RYM002N05T2CL - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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