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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDP2552
FDP2552 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDP2552 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDP2552
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDP2552
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO220-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
FDB2552 Datasheet.pdf
État RoHS
En stock: 44800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDP2552
onsemi - FDP2552 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDP2552

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220-3  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 16A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta), 37A (Tc)  
Numéro de produit de base FDP25  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDP2552

Attributs du produit FDP2552 FDP24N40 FDP2710 FDP2614
Modèle de produit FDP2552 FDP24N40 FDP2710 FDP2614
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numéro de produit de base FDP25 FDP24 - FDP26
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Emballer Tube Tube Bulk Tube
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 101 nC @ 10 V 99 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2800 pF @ 25 V 3020 pF @ 25 V 7280 pF @ 25 V 7230 pF @ 25 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 150 V 400 V 250 V 200 V
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 150W (Tc) 227W (Tc) 260W (Tc) 260W (Tc)
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 16A, 10V 175mOhm @ 12A, 10V 42.5mOhm @ 25A, 10V 27mOhm @ 31A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta), 37A (Tc) 24A (Tc) 50A (Tc) 62A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 10V 10V 10V
Séries PowerTrench® UniFET™ PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA

Fiche technique FDP2552 PDF

Téléchargez FDP2552 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDP2552 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
TO220B03 Pkg Drawing.pdf FDB2552 Datasheet.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Asembly Chg 7/May/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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