Spécifications
Spécifications techniques RUU002N05T106
Rohm Semiconductor - RUU002N05T106 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RUU002N05T106
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Fabricant |
LAPIS Technology |
|
| Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
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| Vgs (Max) |
±8V |
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| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
|
| Package composant fournisseur |
UMT3 |
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| Séries |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V |
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| Dissipation de puissance (max) |
200mW (Ta) |
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| Package / Boîte |
SC-70, SOT-323 |
|
| Emballer |
Tape & Reel (TR) |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
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| Type de montage |
Surface Mount |
|
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
25 pF @ 10 V |
|
| type de FET |
N-Channel |
|
| Fonction FET |
- |
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| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) |
1.2V, 4.5V |
|
| Tension drain-source (Vdss) |
50 V |
|
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C |
200mA (Ta) |
|
| Numéro de produit de base |
RUU002 |
|
Mode de transport
Délai de livraison
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
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2SK4198FSonsemiMOSFET N-CH 600V 4A TO220-3
STW19NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 13A TO247
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