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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRUL035N02TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RUL035N02TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RUL035N02TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RUL035N02TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RUL035N02TR.pdf
État RoHS
En stock: 95970

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RUL035N02TR
Rohm Semiconductor - RUL035N02TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RUL035N02TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 320mW (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numéro de produit de base RUL035  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RUL035N02TR

Attributs du produit RUL035N02TR FDD6030BL SPB80N06S2L-05 RQ1E050RPTR
Modèle de produit RUL035N02TR FDD6030BL SPB80N06S2L-05 RQ1E050RPTR
Fabricant Rohm Semiconductor Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Rohm Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 10A (Ta), 42A (Tc) 80A (Tc) 5A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.7 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 230 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 10 V 1143 pF @ 15 V 7530 pF @ 25 V 1300 pF @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3.5A, 4.5V 16mOhm @ 10A, 10V 4.5mOhm @ 80A, 10V 31mOhm @ 5A, 10V
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 8-SMD, Flat Lead
Vgs (Max) ±10V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Package composant fournisseur TUMT6 TO-252, (D-Pak) PG-TO263-3-2 TSMT8
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries - PowerTrench® OptiMOS™ -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 3V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Numéro de produit de base RUL035 - SPB80N RQ1E050
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 55 V 30 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipation de puissance (max) 320mW (Ta) 1.6W (Ta), 50W (Tc) 300W (Tc) 700mW (Ta)

Fiche technique RUL035N02TR PDF

Téléchargez RUL035N02TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RUL035N02TR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf TUMT6S Inner Structure.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf RUL035N02 ESD Data.pdf

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