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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRQ1E050RPTR
RQ1E050RPTR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RQ1E050RPTR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RQ1E050RPTR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RQ1E050RPTR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
RQ1E050RPTR.pdf
État RoHS
En stock: 82840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RQ1E050RPTR
Rohm Semiconductor - RQ1E050RPTR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RQ1E050RPTR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TSMT8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta)  
Numéro de produit de base RQ1E050  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RQ1E050RPTR

Attributs du produit RQ1E050RPTR RQ1A070APTR RQ1E070RPTR RQ1A070ZPTR
Modèle de produit RQ1E050RPTR RQ1A070APTR RQ1E070RPTR RQ1A070ZPTR
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 1.5V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 10V 14mOhm @ 7A, 4.5V 17mOhm @ 7A, 10V 12mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 80 nC @ 4.5 V 26 nC @ 5 V 58 nC @ 4.5 V
Numéro de produit de base RQ1E050 RQ1A070 RQ1E070 RQ1A070
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Vgs (Max) ±20V -8V ±20V ±10V
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Séries - - - -
Package composant fournisseur TSMT8 TSMT8 TSMT8 TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 550mW (Ta) 550mW (Ta) 700mW (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 10 V 7800 pF @ 6 V 2700 pF @ 10 V 7400 pF @ 6 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 12 V 30 V 12 V

Fiche technique RQ1E050RPTR PDF

Téléchargez RQ1E050RPTR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RQ1E050RPTR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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