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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRU1E002SPTCL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RU1E002SPTCL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RU1E002SPTCL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RU1E002SPTCL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Description détaillée
Emballage
SC-85
Fiche technique
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 548550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RU1E002SPTCL
Rohm Semiconductor - RU1E002SPTCL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RU1E002SPTCL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur UMT3F  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 250mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte SC-85  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta)  
Numéro de produit de base RU1E002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RU1E002SPTCL

Attributs du produit RU1E002SPTCL RU1C001ZPTL RU1C002UNTCL RU1C002ZPTCL
Modèle de produit RU1E002SPTCL RU1C001ZPTL RU1C002UNTCL RU1C002ZPTCL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 1.2V, 4.5V 1.2V, 2.5V 1.2V, 4.5V
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V 115 pF @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±10V ±8V ±10V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V 20 V
Package composant fournisseur UMT3F UMT3F UMT3F UMT3F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 250mA, 10V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Package / Boîte SC-85 SC-85 SC-85 SC-85
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 1V @ 100µA 1V @ 1mA 1V @ 100µA
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta) 100mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Ta)
Numéro de produit de base RU1E002 RU1C001 RU1C002 RU1C002
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)

Fiche technique RU1E002SPTCL PDF

Téléchargez RU1E002SPTCL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RU1E002SPTCL - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
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Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
Feuilles de données
UMT3 T106 Taping Spec.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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