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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRU1C001ZPTL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RU1C001ZPTL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RU1C001ZPTL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RU1C001ZPTL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 100MA UMT3F
Description détaillée
Emballage
SC-85
Fiche technique
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
État RoHS
En stock: 827150

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RU1C001ZPTL
Rohm Semiconductor - RU1C001ZPTL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RU1C001ZPTL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur UMT3F  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)  
Package / Boîte SC-85  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta)  
Numéro de produit de base RU1C001  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RU1C001ZPTL

Attributs du produit RU1C001ZPTL RU1C002ZPTCL RU1C001UNTCL RU1E002SPTCL
Modèle de produit RU1C001ZPTL RU1C002ZPTCL RU1C001UNTCL RU1E002SPTCL
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 4V, 10V
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 200mW (Ta)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta) 200mA (Ta) 100mA (Ta) 250mA (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur UMT3F UMT3F UMT3F UMT3F
Vgs (Max) ±10V ±10V ±12V ±20V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 100µA 2.5V @ 1mA
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V 115 pF @ 10 V 7.1 pF @ 10 V 30 pF @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Package / Boîte SC-85 SC-85 SC-85 SC-85
Numéro de produit de base RU1C001 RU1C002 RU1C001 RU1E002
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Séries - - - -

Fiche technique RU1C001ZPTL PDF

Téléchargez RU1C001ZPTL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RU1C001ZPTL - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf UMT3 Part Marking.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
Feuilles de données
UMT3 T106 Taping Spec.pdf

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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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