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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRTL035N03TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RTL035N03TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RTL035N03TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RTL035N03TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RTL035N03TR.pdf
État RoHS
En stock: 194260

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RTL035N03TR
Rohm Semiconductor - RTL035N03TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RTL035N03TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 3.5A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numéro de produit de base RTL035  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RTL035N03TR

Attributs du produit RTL035N03TR RTL020P02TR RTL030P02TR RTL204688/01
Modèle de produit RTL035N03TR RTL020P02TR RTL030P02TR RTL204688/01
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor TOYOCOM
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 20 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 3.5A, 4.5V 135mOhm @ 2A, 4.5V 70mOhm @ 3A, 4.5V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V 4.9 nC @ 4.5 V 8 nC @ 4.5 V -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
type de FET N-Channel P-Channel P-Channel -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 10 V 430 pF @ 10 V 760 pF @ 10 V -
Numéro de produit de base RTL035 RTL020 RTL030 -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 2A (Ta) 3A (Ta) -
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Package composant fournisseur TUMT6 TUMT6 TUMT6 -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) -
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -

Fiche technique RTL035N03TR PDF

Téléchargez RTL035N03TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RTL035N03TR - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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