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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRTL030P02TR
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RTL030P02TR - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RTL030P02TR
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RTL030P02TR
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RTL030P02 ~.pdf
État RoHS
En stock: 60800

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RTL030P02TR
Rohm Semiconductor - RTL030P02TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RTL030P02TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)  
Numéro de produit de base RTL030  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RTL030P02TR

Attributs du produit RTL030P02TR RTL035N03TR RTL020P02TR RTL204601
Modèle de produit RTL030P02TR RTL035N03TR RTL020P02TR RTL204601
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor NO
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2V @ 1mA -
Numéro de produit de base RTL030 RTL035 RTL020 -
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V -
Séries - - - -
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads -
Package composant fournisseur TUMT6 TUMT6 TUMT6 -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 10 V 350 pF @ 10 V 430 pF @ 10 V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta) 3.5A (Ta) 2A (Ta) -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8 nC @ 4.5 V 6.4 nC @ 4.5 V 4.9 nC @ 4.5 V -
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3A, 4.5V 56mOhm @ 3.5A, 4.5V 135mOhm @ 2A, 4.5V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V -

Fiche technique RTL030P02TR PDF

Téléchargez RTL030P02TR PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RTL030P02TR - Rohm Semiconductor.

Feuilles de données
RTL030P02 ~.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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