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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSS075P03FU6TB
RSS075P03FU6TB Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSS075P03FU6TB - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSS075P03FU6TB
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSS075P03FU6TB
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP
Description détaillée
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
RSS075P03FU6TB.pdf
État RoHS
En stock: 4910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSS075P03FU6TB
Rohm Semiconductor - RSS075P03FU6TB Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSS075P03FU6TB

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Ta)  
Numéro de produit de base RSS075  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSS075P03FU6TB

Attributs du produit RSS075P03FU6TB RSS070N05TB1 RSS070P05TB1 RSS090N03FU6TB
Modèle de produit RSS075P03FU6TB RSS070N05TB1 RSS070P05TB1 RSS090N03FU6TB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 30 V 45 V 45 V 30 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 5 V 16.8 nC @ 5 V 47.6 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 7.5A, 10V 25mOhm @ 7A, 10V 27mOhm @ 7A, 10V 15mOhm @ 9A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.5A (Ta) 7A (Ta) 7A (Ta) 9A (Ta)
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Séries - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base RSS075 - - RSS090
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 10 V 1000 pF @ 10 V 4100 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C 150°C 150°C (TJ)

Fiche technique RSS075P03FU6TB PDF

Téléchargez RSS075P03FU6TB PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RSS075P03FU6TB - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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