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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSS070N05TB1
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L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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RSS070N05TB1 - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSS070N05TB1
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSS070N05TB1
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 45V 7A 8SOP
Emballage
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Fiche technique
RSS070N05TB1.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 5010

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques RSS070N05TB1
Rohm Semiconductor - RSS070N05TB1 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSS070N05TB1

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-SOP  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)  
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 45 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSS070N05TB1

Attributs du produit RSS070N05TB1 RSS065N06FRATB RSS065N06FU6TB RSS075P03FU6TB
Modèle de produit RSS070N05TB1 RSS065N06FRATB RSS065N06FU6TB RSS075P03FU6TB
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta) 6.5A (Ta) 6.5A (Ta) 7.5A (Ta)
Température de fonctionnement 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Séries - Automotive, AEC-Q101 - -
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 10V 37mOhm @ 6.5A, 10V 37mOhm @ 6.5A, 10V 21mOhm @ 7.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V 900 pF @ 10 V 900 pF @ 10 V 2900 pF @ 10 V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 45 V 60 V 60 V 30 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.8 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 16 nC @ 5 V 30 nC @ 5 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V 20V ±20V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Package composant fournisseur 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP

Fiche technique RSS070N05TB1 PDF

Téléchargez RSS070N05TB1 PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RSS070N05TB1 - Rohm Semiconductor.

PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 26/Jan/2020.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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