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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleRSF010P05TL
Rohm Semiconductor
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RSF010P05TL - Rohm Semiconductor

Fabricant Modèle de produit
RSF010P05TL
Fabricant
LAPIS Technology
Allelco Modèle de produit
32D-RSF010P05TL
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3
Description détaillée
Emballage
3-SMD, Flat Leads
Fiche technique
RSF010P05TL.pdf
État RoHS
En stock: 152480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RSF010P05TL
Rohm Semiconductor - RSF010P05TL Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Rohm Semiconductor - RSF010P05TL

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant LAPIS Technology  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TUMT3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta)  
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.3 nC @ 5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 45 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta)  
Numéro de produit de base RSF010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Rohm Semiconductor RSF010P05TL

Attributs du produit RSF010P05TL RSF010P03TL SFT1458-TL-H DMN30H4D1S-7
Modèle de produit RSF010P05TL RSF010P03TL SFT1458-TL-H DMN30H4D1S-7
Fabricant Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor onsemi Diodes Incorporated
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 160 pF @ 10 V 120 pF @ 10 V 65 pF @ 20 V 174 pF @ 25 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - - 3V @ 250µA
Package / Boîte 3-SMD, Flat Leads 3-SMD, Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package composant fournisseur TUMT3 TUMT3 DPAK/TP-FA SOT-23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 460mOhm @ 1A, 10V 350mOhm @ 1A, 10V 13Ohm @ 500mA, 10V 4Ohm @ 300mA, 10V
Numéro de produit de base RSF010 RSF010 SFT145 DMN30
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta) 800mW (Ta) 1W (Ta), 38W (Tc) 360mW (Ta)
Fonction FET - - - -
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 45 V 30 V 600 V 300 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.3 nC @ 5 V 1.9 nC @ 5 V 3.8 nC @ 10 V 4.8 nC @ 10 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1A (Ta) 1A (Ta) 1A (Ta) 430mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V 10V 4.5V, 10V

Fiche technique RSF010P05TL PDF

Téléchargez RSF010P05TL PDF DataSheets et Documentation Rohm Semiconductor pour RSF010P05TL - Rohm Semiconductor.

Autres documents connexes
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Informations environnementales
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf RSF010P05 ESD Data.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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